南京氮化镓单晶基片

　　氮化镓单晶基片
　　一、合成方法
　　1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。
　　2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
　　二、材料简介
　　GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、GaAs、InP化合物半导体材料之后的半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
　　优点
　　1、工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；
　　2、与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；
　　3、能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率高；
　　4、晶格对称性比较低，具有很强的压电性和铁电性：在异质结界面附近产生很强的压电极化和自发极化，感生出高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对2-DEG的二维空间限制，从而提高了2-DEG的面密度。